อินฟิเนียน (Infineon) ทุ่มงบ 1.1 พันล้านยูโร ขยายฐานการผลิตชิป GaN บนเวเฟอร์ 300 มม. ระดับอุตสาหกรรมแห่งแรกของโลกในออสเตรีย
บริษัท อินฟิเนียน เทคโนโลยีส์ (Infineon Technologies AG) ผู้ผลิตเซมิคอนดักเตอร์รายใหญ่สัญชาติเยอรมัน ประกาศแผนการลงทุนระยะยาวมูลค่าราว 1,100 ล้านยูโร (สำหรับช่วงปี ค.ศ. 2026–2034) ณ โรงงานผลิตในเมืองฟิลลัค (Villach) รัฐคารินเทีย (Carinthia) ประเทศออสเตรีย เพื่อจัดตั้งฐานการผลิตระดับอุตสาหกรรมขนาดใหญ่สำหรับชิปแกลเลียมไนไตรด์ (Gallium Nitride: GaN) บนแผ่นเวเฟอร์ขนาด 300 มิลลิเมตร เป็นแห่งแรกของโลก โดยตั้งเป้าเริ่มต้นเดินสายการผลิตเชิงพาณิชย์ในช่วงปลายปี ค.ศ. 2027
การจัดตั้งโรงงานในครั้งนี้ได้รับการสนับสนุนทางการเงินจากรัฐบาลออสเตรียเป็นจำนวน 319 ล้านยูโร ซึ่งคิดเป็นสัดส่วนประมาณร้อยละ 29 ของมูลค่าแผนการลงทุน โดยงบประมาณดังกล่าวได้รับความเห็นชอบและการอนุมัติยกเว้นด้านกฎระเบียบเงินช่วยเหลือจากภาครัฐ (State Aid) จากคณะกรรมาธิการยุโรป (European Commission) ภายใต้กรอบกฎหมายชิปของสหภาพยุโรป (European Chips Act) แล้ว ทั้งนี้ รัฐบาลออสเตรียได้จัดสรรงบประมาณดังกล่าวไว้ล่วงหน้าแล้ว ภายใต้กฎหมายงบประมาณเพื่อรองรับการดำเนินงานตาม EU Chips Act ของออสเตรีย ซึ่งมีวงเงินรวม 2,800 ล้านยูโร
นายโยเคิน ฮาเนอเบ็ค (Jochen Hanebeck) ประธานเจ้าหน้าที่บริหารของอินฟิเนียน ระบุว่า เงินลงทุน 1,100 ล้านยูโรนี้ ถือเป็นหนึ่งในสามโครงการลงทุนภาคอุตสาหกรรมที่ใหญ่ที่สุดในประวัติศาสตร์ของออสเตรีย โดยการปรับปรุงและใช้ประโยชน์จากพื้นที่ห้องปลอดฝุ่น (Cleanroom) เดิมที่มีอยู่แล้วในโรงงานฟิลลัค จะช่วยขยายขีดความสามารถในการผลิตได้อย่างรวดเร็วและคุ้มค่าต้นทุนสูงสุด ทั้งนี้ แผ่นเวเฟอร์ขนาด 300 มิลลิเมตร สามารถรองรับจำนวนชิปต่อแผ่นได้มากกว่าเวเฟอร์ขนาด 200 มิลลิเมตรที่ใช้กันแพร่หลายถึง 2.3 เท่า ซึ่งจะช่วยลดต้นทุนต่อหน่วยและเพิ่มประสิทธิภาพการผลิตอย่างมีนัยสำคัญ
ชิปประเภทแกลเลียมไนไตรด์ (GaN) มีคุณสมบัติเด่นในการสลับวงจรไฟฟ้า (Switching) ได้เร็วกว่าชิปซิลิคอนทั่วไป ส่งผลให้สูญเสียพลังงานน้อยลง จึงตอบโจทย์การประยุกต์ใช้งานในอุตสาหกรรมแห่งอนาคตที่มุ่งเน้นประสิทธิภาพการประหยัดพลังงาน อาทิ ศูนย์ข้อมูลปัญญาประดิษฐ์ (AI Data Centers) ยานยนต์ไฟฟ้า (EV) และระบบชาร์จไฟฟ้า โครงสร้างพื้นฐานพลังงานหมุนเวียน (ระบบโซลาร์เซลล์) ระบบอัตโนมัติและหุ่นยนต์ ตลอดจนอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภค โดยอินฟิเนียนคาดการณ์ว่า ตลาดชิป GaN ทั่วโลกจะเติบโตจากปี ค.ศ. 2025 ถึง 6 เท่า แตะระดับ 3,500 ล้านยูโร ภายในปี ค.ศ. 2031 และสายการผลิตใหม่นี้จะสร้างรายได้เข้าสู่บริษัทปีละประมาณ 1,500 ล้านยูโร
ในประเด็นด้านห่วงโซ่อุปทานวัตถุดิบ อินฟิเนียนระบุว่า บริษัทมีระบบการจัดหาแกลเลียมที่มีความยืดหยุ่นและกระจายตัว โดยจัดหาจากหลายประเทศนอกเหนือจากจีน ควบคู่ไปกับการยกระดับกระบวนการ รีไซเคิล และเนื่องจากชั้นฟิล์ม GaN ที่เคลือบบนแผ่นเวเฟอร์มีความบางมาก ปริมาณการใช้วัตถุดิบจึงอยู่ในระดับที่ไม่สูงนัก ทำให้ประเด็นด้านอุปทานวัตถุดิบยังคงอยู่ภายใต้การบริหารจัดการได้ ทั้งนี้ ในด้านการจ้างงาน นางซาบีเนอ เฮอร์ลิทช์คา (Sabine Herlitschka) ประธานเจ้าหน้าที่บริหารของอินฟิเนียน ออสเตรีย (Infineon Austria ชี้แจงว่า โครงการนี้เน้นการยกระดับผลิตภาพและระบบอัตโนมัติ จึงไม่ได้สร้างงานใหม่โดยตรง แต่จะเป็นการรักษาเสถียรภาพและความมั่นคงของตำแหน่งงานเดิมในสายการผลิตกว่า 2,600 ตำแหน่งในระยะยาว
ทางด้านผู้นำรัฐบาลออสเตรีย ได้แก่ นายคริสเตียน ชต็อคเกอร์ (Christian Stocker) นายกรัฐมนตรีออสเตรีย และนายโวล์ฟกัง ฮัทมันส์ดอร์ฟเฟอร์ (Wolfgang Hattmannsdorfer) รัฐมนตรีว่าการกระทรวงเศรษฐกิจ เน้นย้ำว่า การลงทุนครั้งนี้แสดงให้เห็นว่าออสเตรียเป็นฐานการลงทุนอุตสาหกรรมเทคโนโลยีขั้นสูงที่คุ้มค่า และยุโรปจำเป็นต้องสร้างความมั่นคงด้านการผลิตชิปภายในภูมิภาค เพื่อลดการพึ่งพิงสหรัฐอเมริกาและเอเชีย ซึ่งสอดคล้องกับยุทธศาสตร์ภาคอุตสาหกรรมของรัฐบาลที่มุ่งผลักดันให้ออสเตรียกลับเข้าสู่กลุ่ม 10 ชาติอุตสาหกรรมชั้นนำของโลกภายในปี ค.ศ. 2035 โดยปัจจุบันอินฟิเนียนสร้างมูลค่าเพิ่มทางเศรษฐกิจในออสเตรียกว่า 2,200 ล้านยูโร และมีการจัดซื้อจัดจ้างธุรกิจท้องถิ่นปีละประมาณ 365 ล้านยูโร
ข้อเสนอแนะและความคิดเห็นสำนักงานฯ
การขยายการลงทุนระดับพันล้านยูโรของอินฟิเนียนในเมืองฟิลลัค ภายใต้การสนับสนุนงบประมาณตามกรอบกฎหมาย EU Chips Act สะท้อนให้เห็นถึงทิศทางเชิงยุทธศาสตร์ของสหภาพยุโรปอย่างชัดเจนในการเสริมสร้างความมั่นคงและลดการพึ่งพาห่วงโซ่อุปทานเทคโนโลยีขั้นสูงจากภายนอกภูมิภาค โดยมุ่งเน้นการสร้างฐานการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ประหยัดพลังงาน (Power Semiconductors) ภายในประเทศ เพื่อรองรับการเปลี่ยนผ่านสู่พลังงานสะอาดและเศรษฐกิจดิจิทัล ซึ่งจะส่งผลให้โครงสร้างห่วงโซ่อุปทานในอุตสาหกรรมเทคโนโลยีของยุโรปมีความเข้มแข็งและพึ่งพาตนเองได้มากขึ้นในระยะยาว
ในมิติของภาคอุตสาหกรรมไทย แม้การผลิตชิป GaN ขั้นต้นน้ำจะตั้งอยู่ในยุโรป แต่การขยายสู่การผลิตเชิงพาณิชย์ขนาดใหญ่ในครั้งนี้จะสร้างโอกาสสำคัญให้แก่ห่วงโซ่อุปทานปลายน้ำของไทย เนื่องจากประเทศไทยมีจุดแข็งทั้งด้านการประกอบและทดสอบแผงวงจร (OSAT) รวมถึงเป็นฐานการผลิตชิ้นส่วนยานยนต์และชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ (E&E) ที่สำคัญ ดังนั้นการขยายตัวของชิปรุ่นใหม่นี้จะกระตุ้นความต้องการชิ้นส่วนประกอบร่วม เช่น ตัวเชื่อมต่อ (Connectors) อุปกรณ์แปลงกระแสไฟฟ้า (Inverters) และ Power Modules สำหรับสถานีชาร์จยานยนต์ไฟฟ้าและระบบพลังงานแสงอาทิตย์ ผู้ประกอบการไทยที่มีมาตรฐานระดับสากลจึงควรเร่งศึกษาข้อกำหนดทางเทคนิคเพื่อเตรียมความพร้อมเข้าสู่ห่วงโซ่อุปทานของผู้ผลิตระดับ Tier-1 และ Tier-2 ในตลาดยุโรป
ขณะเดียวกัน การที่เทคโนโลยี GaN เริ่มเข้ามาแทนที่ชิปซิลิคอนแบบเดิมในอุปกรณ์ไฟฟ้าและศูนย์ข้อมูล ยังเป็นสัญญาณเตือนให้ผู้ส่งออกไทยในกลุ่มเครื่องใช้ไฟฟ้าอัจฉริยะและอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ ต้องเร่งปรับตัวด้านการออกแบบผลิตภัณฑ์ (Product Redesign) ให้สอดรับกับคุณสมบัติของชิปชนิดใหม่ เพื่อยกระดับประสิทธิภาพการใช้พลังงานให้เป็นไปตามมาตรฐานการออกแบบเพื่อสิ่งแวดล้อม (Ecodesign) ของสหภาพยุโรปที่ทวีความเข้มงวดขึ้นอย่างต่อเนื่อง
นอกจากนี้ การที่ออสเตรียเดินหน้ายกระดับประเทศสู่การเป็นศูนย์กลางความเป็นเลิศด้านไมโครอิเล็กทรอนิกส์ของภูมิภาคยุโรปตอนกลาง ยังเปิดโอกาสให้หน่วยงานภาครัฐ สถาบันการศึกษา และภาคเอกชนไทย พิจารณาสร้างเครือข่ายความร่วมมือด้านการวิจัยและพัฒนา (R&D Collaboration) การถ่ายทอดองค์ความรู้ ตลอดจนการส่งเสริมการจับคู่ธุรกิจร่วมกับสถาบันวิจัยและเครือข่ายความร่วมมือด้านเทคโนโลยีในรัฐคารินเทีย เพื่อผลักดันการยกระดับขีดความสามารถทางการแข่งขันของอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์และอิเล็กทรอนิกส์ขั้นสูงของไทยในระยะยาวต่อไป
สำนักงานส่งเสริมการค้าในต่างประเทศ ณ กรุงเวียนนา
พฤศจิกายน 2569
แหล่งอ้างอิง:
https://www.heute.at/s/chip-gigant-investiert-11-milliarden-in-oesterreich-120272782
เครดิตภาพ: kurier.at
